光电信息材料与器件团队朱兴华教授于2014年5月在材料类国际知名期刊《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》（IF=1.569）杂志上发表了题为《Fabrication and characterization of X-ray array detectors based on polycrystalline PbI2 thick films》的学术论文。(J Mater Sci: Mater Electron (2014) 25:3337–3343)
该论文主要研究了气相法制备PbI2多晶膜材料，研制了3×4阵列X射线探测器原型。研究结果表明：12像元的暗电流均低于3nA（500V），本征电阻率高达1011ohm•cm；X射线光电流响应上升时间250μs，且平均X光电流强度比暗电流高2个数量级，说明所研制的阵列探测器对X射线快速、灵敏响应，为研制数字平板探测与成像器件奠定了坚实的材料和器件基础。
Figure1. Structure diagram of the array detector based on polycrystalline PbI2 thick film
